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老化测试 Burn-in 筛选时间与成本优化器
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模型：残留早期失效率(t) = p0 * exp(-t/tau)；年总成本 = 老化成本 + 流出损失
最优时长：t* = tau * ln(p0*单次失效成本 / (单位老化成本 * tau * 1e6))，为负则取 0
板位产能：每板位每年可用 8000 h

【最优老化时长与经济效益】
  产品                        当前h      最优h       当前成本万       最优成本万         年省万      残留ppm 产能
  P-01 车规MCU                 48     43.1       647.1       646.4         0.8       4667 充足
  P-02 消费类传感器                24      0.0       386.8       180.0       206.8       2000 充足
  P-03 功率模块                  72     50.0       227.1       219.9         7.2       6522 充足
  P-04 通用逻辑IC                12      0.0       376.1        24.0       352.1        400 充足
  P-05 工业电源模块                48     46.0       272.0       271.9         0.0       3600 充足
  P-06 车规功率器件                96     98.7       528.3       528.0         0.3       3200 不足（缺 64%）

【成本曲线（以 P-01 车规MCU 为例，单位：万元/年）】
       老化h         老化成本         流出损失          总成本 标注
         0          0.0        720.0        720.0 
        10         52.5        635.4        687.9 
        20        105.0        560.7        665.7 
        30        157.5        494.8        652.3 
        40        210.0        436.7        646.7 <= 最优区间
        50        262.5        385.4        647.9 
        60        315.0        340.1        655.1 
        70        367.5        300.1        667.6 
        80        420.0        264.9        684.9 
        90        472.5        233.7        706.2 
       100        525.0        206.3        731.3 
       110        577.5        182.0        759.5 
       120        630.0        160.7        790.7 
       130        682.5        141.8        824.3 
       140        735.0        125.1        860.1 
       150        787.5        110.4        897.9 
       160        840.0         97.4        937.4 
       170        892.5         86.0        978.5 
       180        945.0         75.9       1020.9 
       190        997.5         67.0       1064.5 
       200       1050.0         59.1       1109.1 
  精确最优：43.1 h（总成本 646.4 万元/年）

【筛选效率与残留风险】
  产品                        最优h        筛出比例%        残留ppm        年流出片数
  P-01 车规MCU               43.1         41.7         4667        700.0
  P-02 消费类传感器               0.0          0.0         2000        600.0
  P-03 功率模块                50.0         56.5         6522        521.7
  P-04 通用逻辑IC               0.0          0.0          400        200.0
  P-05 工业电源模块              46.0         40.0         3600        360.0
  P-06 车规功率器件              98.7         87.2         3200        384.0

【结论与行动建议】
  1) 六款产品按最优时长老化，合计年节省 567.1 万元。
  2) 不建议老化的产品 2 款：P-02 消费类传感器、P-04 通用逻辑IC
     P-02 消费类传感器：固有早期失效率只有 2000 ppm、单次失效成本 3000 元，
     老化花的钱比它筛掉的损失还多 —— 建议取消老化，改用加严的出厂电测或抽样老化。
     P-04 通用逻辑IC：固有早期失效率只有 400 ppm、单次失效成本 1200 元，
     老化花的钱比它筛掉的损失还多 —— 建议取消老化，改用加严的出厂电测或抽样老化。
  3) 应缩短老化时长的产品 3 款：P-01 车规MCU（48→43.1 h）、P-03 功率模块（72→50.0 h）、P-05 工业电源模块（48→46.0 h）
     这些产品现在的老化时长已经越过最优点，继续加时间只是白烧电费与板位。
  4) 应延长老化时长的产品 1 款：P-06 车规功率器件（96→98.7 h）
     这些产品老化不足，早期失效还在往外流；延长到最优时长前，先确认板位产能。
  5) 板位产能不足的产品 1 款：P-06 车规功率器件
     处置：按缺口扩板位、提高板位利用率（缩短单片老化 + 增加轮次），
     或对高失效率产品改用「加严电测 + 抽样老化 + 分批放行」的组合筛选。
  6) 注意：tau 与 p0 必须用本厂的真实早期失效数据拟合，不要沿用供应商的典型值 ——
     批次工艺波动会让 tau 差出一倍，最优时长随之差一倍。
