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霍尔效应测量与载流子浓度迁移率分析器
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R_s  = (pi/ln2)*(R_AB_CD + R_BC_DA)/2 = 4.5324*(两组电阻均值)
n_s  = I*B/(q*|V_H|)     mu_H = 1/(q*n_s*R_s)     n = n_s/t
导电类型：V_H 为正判 p 型，V_H 为负判 n 型（本工具约定，测试时以实际接线符号为准）
判定：对称性误差 >10% 判存疑；迁移率低于参考 80% 判偏低、高于 120% 判偏高

【逐样品薄层电阻与对称性误差】
  样品     材料                R_AB_CD    R_BC_DA  R_s(ohm/sq)       对称误差 接触判读    
  H-01   单晶硅n型               215.0      226.0        999.4      4.87% 接触良好    
  H-02   氮化镓GaN               60.0       62.6        277.8      4.15% 接触良好    
  H-03   单晶硅p型               180.0      230.0        929.1     21.74% 接触/几何待查 
  H-04   碳化硅4H-SiC           340.0      348.0       1559.1      2.30% 接触良好    
  H-05   单晶硅n型重掺              28.0       29.2        129.6      4.11% 接触良好    
  H-06   硅外延n型               760.0      785.0       3501.2      3.18% 接触良好    
  说明：两组电阻应尽量接近，相差超过 10% 说明探针接触不等或样品几何不对称。

【载流子浓度与霍尔迁移率】
  样品            I/A        B/T      n_s/cm-2        n/cm-3         mu_H 类型    
  H-01        0.001       0.50    1.5605e+13    3.1211e+14        400.2 n型    
  H-02        0.001       0.50    3.1211e+13    1.5605e+17        719.9 n型    
  H-03        0.001       0.50    2.0807e+13    4.1615e+14        322.9 p型    
  H-04        0.001       0.50    5.0018e+12    1.0004e+16        800.4 n型    
  H-05        0.001       0.50    3.1211e+14    6.2422e+15        154.3 n型    
  H-06        0.001       0.50    1.3208e+12    1.3208e+15       1349.8 n型    
  说明：mu_H 单位 cm2/(V*s)；薄层浓度 n_s 与厚度 t 相除得体浓度 n，量级应落在半导体合理区间。

【与参考值对比】
  样品             mu实测         mu参考        偏差%        R_s实测        R_s参考        偏差%
  H-01          400.2        400.0       0.1%        999.4       1000.0      -0.1%
  H-02          719.9       1200.0     -40.0%        277.8        278.0      -0.1%
  H-03          322.9        330.0      -2.2%        929.1        929.0       0.0%
  H-04          800.4        800.0       0.1%       1559.1       1560.0      -0.1%
  H-05          154.3        150.0       2.9%        129.6        130.0      -0.3%
  H-06         1349.8       1350.0      -0.0%       3501.2       3500.0       0.0%

【质量档次判定】
  样品          mu比参考       对称误差      薄层电阻比 档次       说明
  H-01         1.00      4.87%       1.00 正常       迁移率与参考偏差仅 +0.1%，数据可信
  H-02         0.60      4.15%       1.00 偏低       迁移率仅参考的 60.0%，疑散射/缺陷/补偿
  H-03         0.98     21.74%       1.00 存疑       对称性 21.7% 超 10%，数据先复测再采信
  H-04         1.00      2.30%       1.00 正常       迁移率与参考偏差仅 +0.1%，数据可信
  H-05         1.03      4.11%       1.00 正常       迁移率与参考偏差仅 +2.9%，数据可信
  H-06         1.00      3.18%       1.00 正常       迁移率与参考偏差仅 -0.0%，数据可信

【体电阻率与测试条件核查】
  样品         厚度um    电阻率ohm*cm           厚度cm       霍尔电压mV 量级核查
  H-01      500.0       49.969          0.050       20.000 量级正常
  H-02        2.0        0.056          0.000       10.000 量级正常
  H-03      500.0       46.457          0.050       15.000 量级正常
  H-04        5.0        0.780          0.001       62.400 量级正常
  H-05      500.0        6.481          0.050        1.000 量级正常
  H-06       10.0        3.501          0.001      236.300 量级正常
  说明：电阻率 rho = R_s * t；薄层电阻越高、厚度越薄，相同浓度下体浓度越低。

【浓度分布汇总】
  H-01（单晶硅n型）：体浓度 3.1211e+14 cm-3，施主(n 型)，样品厚度 0.0500 cm。
  H-02（氮化镓GaN）：体浓度 1.5605e+17 cm-3，施主(n 型)，样品厚度 0.0002 cm。
  H-03（单晶硅p型）：体浓度 4.1615e+14 cm-3，受主(p 型)，样品厚度 0.0500 cm。
  H-04（碳化硅4H-SiC）：体浓度 1.0004e+16 cm-3，施主(n 型)，样品厚度 0.0005 cm。
  H-05（单晶硅n型重掺）：体浓度 6.2422e+15 cm-3，施主(n 型)，样品厚度 0.0500 cm。
  H-06（硅外延n型）：体浓度 1.3208e+15 cm-3，施主(n 型)，样品厚度 0.0010 cm。
  浓度跨度 3.12e+14 ~ 1.56e+17 cm-3，横跨轻掺到重掺，符合示例材料的典型工艺区间。

【异常诊断】
  迁移率偏低 1 片：H-02(719.9, 参考1200.0)
     H-02 迁移率为参考的 60.0%，建议先复测接触，再查外延层缺陷密度与补偿掺杂。
  迁移率偏高 0 片：无
  对称性超差 1 片：H-03(21.74%)
     H-03 两组电阻 180.0 与 230.0 ohm 相差 21.7%，须重新压针、检查样品边缘与电流量级。

【结论与行动建议】
  1) 数据可信 4 片：H-01、H-04、H-05、H-06；其迁移率与参考偏差均在 ±20% 内。
  2) 迁移率最低 H-02（氮化镓GaN）：mu_H=719.9 cm2/(V*s)，仅为参考 1200.0 的 60.0%，
     对应薄层浓度 3.121e+13 cm-2、体浓度 1.561e+17 cm-3，判为散射/缺陷主导，非本征掺杂异常。
  3) 迁移率最高 H-06（硅外延n型）：mu_H=1349.8 cm2/(V*s)，n=-0.0% 相对参考，属正常偏优。
  4) H-03 对称性误差 21.7% 超过 10% 阈值，该片 mu_H=322.9 与 n_s=2.081e+13 cm-2 暂不采信，
     应重测后再判定导电类型（当前按 V_H=+0.0150 V 判为 p型）。
  5) 导电类型分布：n 型 5 片、p 型 1 片；n 型体浓度区间 3.12e+14 ~ 1.56e+17 cm-3。
  6) 优先动作：先保接触对称（把误差压到 10% 内），再谈迁移率与浓度的绝对值；
     接触不稳时，同一片两次测量的 mu_H 可能相差 30% 以上，任何工艺结论都不可靠。
