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扩散退火工艺：温度曲线对结深的影响 氧化扩散/退火工艺的温度-时间-气氛三角关系与结深均匀性控制 [设备工艺] 扩散炉温度飘了5度，一个月后才发现结深超规——退火工艺的参数敏感性超出想象。在半导体FA...
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Bin Map分析：哪一类失效在偷走你的良率 Wafer Bin Map视觉分析、失效模式识别与良率损失根因定位实战 整体良率88%，但某区域总是低2个点——Bin Map一眼就看出来，但怎么用它找到...
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半导体批次追溯系统：从晶圆到芯片的全链路 Lot Traceability实战架构，含SECS-GEM对接、良率追溯与召回管理 一批晶圆有良率异常，要查是哪个机台、哪个时间点、哪个操作导致的——查不出...
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CUSUM累积和图实战：抓住X-bar抓不到的缓慢漂移 累积和控制图原理、参数设定与Fab生产监控实战案例 0. 背景故事 某12英寸Fab的扩散工艺工程师张工最近很苦恼：负责的氧化炉（Oxidati...
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EWMA控制图对小偏移更灵敏：参数lambda怎么定 比X-bar更适合先进制程的指数加权移动平均控制图实战指南 [ SPC过程控制 ] 某先进制程fab的扩散车间在一次例行SPC审查中发现了一个令人...
刻蚀速率均匀性：片内不均的5个成因与对策
刻蚀速率均匀性：片内不均的5个成因与对策 2026-07-29 发布 | 设备工艺 刻蚀均匀性决定每颗芯片是否刻得一样深，差一点整批电性就散、良率就掉。速率不达标能靠时间补，均匀性差是谁也补不回来的结...