背面供电(BSPDN)：新工艺带来的检测挑战
背面供电网络的技术原理、与传统工艺的差异，以及对缺陷检测的新挑战 【摘要】 本文系统梳理缺陷检测与分析领域的核心问题与落地路径。背面供电网络的技术原理、与传统工艺的差异，以及对缺陷检测的新挑战。全文...
从砂子到芯片：FAB这28天到底发生了什么
芯片制造全流程科普，从硅片进入FAB到封装测试的完整旅程 【摘要】 本文系统梳理光刻与图形化领域的核心问题与落地路径。芯片制造全流程科普，从硅片进入FAB到封装测试的完整旅程。全文围绕「背景故事：一...
离子注入剂量与能量：参数漂移的监控实战
剂量漂移的SPC监控方法、预防措施与典型案例复盘 【摘要】 本文系统梳理离子注入与扩散领域的核心问题与落地路径。剂量漂移的SPC监控方法、预防措施与典型案例复盘。全文围绕「背景故事：一场被延迟发现的...
EWMA控制图对小偏移更灵敏：参数lambda怎么定
比X-bar更适合先进制程的指数加权移动平均控制图实战指南 【摘要】 本文系统梳理SPC 统计过程控制领域的核心问题与落地路径。比X-bar更适合先进制程的指数加权移动平均控制图实战指南。全文围绕「...
刻蚀速率均匀性：片内不均的5个成因与对策
【摘要】 本文系统梳理刻蚀工艺领域的核心问题与落地路径。刻蚀均匀性决定每颗芯片是否刻得一样深，差一点整批电性就散、良率就掉。全文围绕「均匀性为什么是刻蚀的生命线、成因一：气流分布不均、成因二：射频功...
WaferMap缺陷模式识别：环状/边缘/中心各说明什么
【摘要】 本文系统梳理缺陷检测与分析领域的核心问题与落地路径。晶圆缺陷图是良率工程师的眼睛，每种空间模式背后都对应一类物理成因。全文围绕「晶圆缺陷图是良率工程师的眼睛、环状缺陷：多半是边缘效应、边缘...
OEE实战：一条线从58%到82%的改善路径
【摘要】 本文系统梳理OEE 与产能分析领域的核心问题与落地路径。去年年中的一次月度运营会，我负责的那条封装产线被厂长在大屏上直接点了名。全文围绕「问题背景：被点名的那条58%的线、技术原理：OEE...
光刻工程师的一天：FAB皇冠下的纳米级较真
【摘要】 本文系统梳理光刻与图形化领域的核心问题与落地路径。光刻是 FAB 的皇冠，决定最小线宽，一台高端机几千万到上亿欧元，是印钞机也是瓶颈机。全文围绕「光刻是 FAB 的"皇冠"、早班先检 ov...
Nelson八大判异规则实战：只开规则1你会漏掉80%异常
【摘要】 本文系统梳理SPC 统计过程控制领域的核心问题与落地路径。控制图判异业界通用 Nelson 八大规则，但很多工程师只开了规则1（点出界），漏掉的趋势、偏移、分层全靠规则2-8。全文围绕「八...
半导体光刻工程师的一天：凌晨3点被叫回FAB是什么样的体验
【摘要】 本文系统梳理光刻与图形化领域的核心问题与落地路径。我是一名光刻工程师，在Fab工作4年多了。全文围绕「外界不知道的FAB工程师、光刻工艺到底是什么、一个光刻工程师的真实一天、FAB工程师作...