过程能力 Ppk 和 Cpk 的区别：审核老师最爱问的坑
半导体工艺审核中最常被问到的 Cpk/Ppk 区别详解，附计算示例与判定标准 【摘要】 本文系统梳理SPC 统计过程控制领域的核心问题与落地路径。半导体工艺审核中最常被问到的 Cpk/Ppk 区别详...
半导体刻蚀工艺：干法刻蚀原理与参数调优实战
【摘要】 本文系统梳理刻蚀工艺领域的核心问题与落地路径。刻蚀是在光刻之后把图形转移到晶圆上的关键工艺。全文围绕「刻蚀——芯片图形化的核心工艺、干法刻蚀的原理和设备、刻蚀工艺参数与调优、刻蚀中的常见问...
数据分析Jupyter模板：良率分析的标准流程
【摘要】 本文系统梳理报表自动化与效率工具领域的核心问题与落地路径。FAB良率工程师的Jupyter Notebook标准化模板，含数据清洗/统计分析/可视化/报告生成。全文围绕「背景故事：两百份分...
SPC假报警治理：从每天200条降到20条的过程
Nelson规则优化、控制限动态调整与Fab假报警率降低实战方案 【摘要】 本文系统梳理SPC 统计过程控制领域的核心问题与落地路径。Nelson规则优化、控制限动态调整与Fab假报警率降低实战方案...
半导体制造术语体系必知必会：从晶圆到芯片的全流程专业词汇
【摘要】 本文系统梳理薄膜沉积领域的核心问题与落地路径。半导体制造是精细化工与精密机械的深度交叉，其术语体系极其庞杂。全文围绕「晶圆相关术语、光刻工艺术语、薄膜沉积与CMP、量测与良率管理、新手入行...
Bin Map分析：哪一类失效在偷走你的良率
Wafer Bin Map视觉分析、失效模式识别与良率损失根因定位实战 【摘要】 本文系统梳理良率分析与根因定位领域的核心问题与落地路径。Wafer Bin Map视觉分析、失效模式识别与良率损失根...
刻蚀速率均匀性：片内不均的5个成因与对策
【摘要】 本文系统梳理刻蚀工艺领域的核心问题与落地路径。刻蚀均匀性决定每颗芯片是否刻得一样深，差一点整批电性就散、良率就掉。全文围绕「均匀性为什么是刻蚀的生命线、成因一：气流分布不均、成因二：射频功...
WaferMap缺陷模式识别：环状/边缘/中心各说明什么
【摘要】 本文系统梳理缺陷检测与分析领域的核心问题与落地路径。晶圆缺陷图是良率工程师的眼睛，每种空间模式背后都对应一类物理成因。全文围绕「晶圆缺陷图是良率工程师的眼睛、环状缺陷：多半是边缘效应、边缘...
WaferMap可视化：缺陷检出率58%到79%
【摘要】 本文系统梳理报表自动化与效率工具领域的核心问题与落地路径。在一座月产五万片的12英寸FAB中，每片晶圆经过全部制造工序后会产生数百个到数千个不等的测试点数据。全文围绕「问题背景、技术原理、...
光刻工程师的一天：FAB皇冠下的纳米级较真
【摘要】 本文系统梳理光刻与图形化领域的核心问题与落地路径。光刻是 FAB 的皇冠，决定最小线宽，一台高端机几千万到上亿欧元，是印钞机也是瓶颈机。全文围绕「光刻是 FAB 的"皇冠"、早班先检 ov...