台阶覆盖率与深宽比计算器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题
这类分析宁可保守也不要假精度：数据不足时明确不外推。
沟槽/接触孔填充的成败，由深宽比（AR）与台阶覆盖率（侧壁/底部膜厚比）决定。 本工具逐特征算 AR、覆盖率、保形性，给出空洞风险分级与工艺路线建议 （CVD/ALD/离子化 PVD 的适用区间），并横向比较多个沉积腔体。
输入数据格式
数据文件 step_coverage_features.csv，列顺序为：feature、chamber、cd_um、depth_um、sidewall_nm、bottom_nm。
示例首行：Trench_A,CVD1,0.45,3.6,92,74
示例输出（真实运行结果节选）
台阶覆盖率与深宽比分析报告 ======================================================================== 【一、逐特征计算】 特征 腔体 CD(μm) 深度(μm) AR 侧壁nm 底部nm 覆盖率 风险 Trench_A CVD1 0.45 3.60 8.0 92 74 124% 高 Trench_B CVD1 0.30 4.50 15.0 88 58 152% 高 Trench_C CVD2 0.45 3.60 8.0 96 89 108% 高 Trench_D CVD2 0.30 4.50 15.0 93 80 116% 高 Contact_E CVD1 0.22 2.00 9.1 71 39 182% 高 Contact_F ALD1 0.22 2.00 9.1 99 97 102% 高 【二、腔体横向对比（按 AR 分层看覆盖率）】 CVD1 特征数 3，AR 8.0~15.0，覆盖率 124%~182%（均值 153%） CVD2 特征数 2，AR 8.0~15.0，覆盖率 108%~116%（均值 112%） ALD1 特征数 1，AR 9.1~9.1，覆盖率 102%~102%（均值 102%） 【三、结论与建议】 · Trench_A：AR=8.0、覆盖率=124%，空洞风险高 → 切 ALD（每循环单层，覆盖率≈100%）或高离子化比 PVD/CVD · Trench_B：AR=15.0、覆盖率=152%，空洞风险高 → 切 ALD（每循环单层，覆盖率≈100%）或高离子化比 PVD/CVD · Trench_C：AR=8.0、覆盖率=108%，空洞风险高 → 切 ALD（每循环单层，覆盖率≈100%）或高离子化比 PVD/CVD · Trench_D：AR=15.0、覆盖率=116%，空洞风险高 → 切 ALD（每循环单层，覆盖率≈100%）或高离子化比 PVD/CVD · Contact_E：AR=9.1、覆盖率=182%，空洞风险高 → 切 ALD（每循环单层，覆盖
解决什么问题
· 空洞/底部欠沉积在电测才发现，返工代价大； · 覆盖率口径不统一（侧壁取上沿还是中部），腔体之间比不出结论； · AR 提高了还沿用老配方，没人提醒「0.3μm/4.5μm 和 0.45μm/3.6μm 不是同一问题」。
使用方法
python step_coverage.py # 示例数据（6 个特征、3 个腔体） python step_coverage.py 我的.csv
输出说明
· step_coverage_report.txt：逐特征 AR/覆盖率/风险、腔体对比、结论与建议 · step_coverage_results.csv：结果表
注意事项
覆盖率定义统一取特征中部（侧壁取上沿会虚高 10~20 个百分点，拍点位置要写进 SOP）； 跨 AR 比较腔体优劣没有意义，必须同 AR 分层比较；覆盖率异常低而均匀性正常， 优先查成核期（前驱体沾污/成核剂）而不是沉积主体。
会生成哪些文件
运行后除控制台输出外，还会生成：step_coverage_features.csv、step_coverage_report.txt、step_coverage_results.csv。
工具中出现的字段与提示
- 台阶覆盖率与深宽比分析报告
- 【一、逐特征计算】
- 【二、腔体横向对比（按 AR 分层看覆盖率）】
- 【三、结论与建议】
- ALD（每循环单层，覆盖率≈100%）或高离子化比 PVD/CVD
- - %s：AR=%.1f、覆盖率=%.0f%%，空洞风险高 → 切 %s
- 当前特征无高风险项。
- - %s：覆盖率 %.0f%% 处于中风险带 → 先做角度分布/前驱体流量
- DOE（覆盖率对流量与功率最敏感），暂不切工艺路线。
- 全部特征覆盖率 ≥75%，维持现有参数窗口。
- 1) 台阶覆盖率是「侧壁/底部」的比值：口径务必一致（都取特征中部），
- 侧壁取上沿会虚高 10~20 个百分点，SEM 拍点要写进 SOP。
- 跨 AR 层别比较腔体优劣没有意义。
- 3) 填充之前先看成核：覆盖率异常低而均匀性正常，多半是成核期问题
- （前驱体沾污/成核剂），不是沉积主体的问题。
下载与文件清单
压缩包内包含：主程序脚本、示例数据文件、示例输出报告、中文说明文档，以及同主题 AI 提示词一套。解压后按说明运行即可，示例数据可直接试跑。
主程序文件：step_coverage.py。
本站工具免费下载，无需注册。工具为 Python 脚本，Python 3.8 及以上环境可直接运行，核心功能尽量不依赖第三方库。
常见问题
输入数据要准备成什么样？
按 示例首行中的列顺序准备即可，共 6 列：feature、chamber、cd_um、depth_um、sidewall_nm、bottom_nm。列为空或格式不符时结果会失真，建议先用示例数据试跑一遍。
跑完最该关注哪几项？
报告按 一、逐特征计算、二、腔体横向对比（按 AR 分层看覆盖率）、三、结论与建议 等部分组织，其中判定结论与建议部分直接对应下一步动作。
附赠的提示词怎么用？
把提示词与自己的数据一起交给大模型，可以让它按同一套口径帮你改写分析流程或扩展报告字段。
示例数据能直接跑吗？
可以。示例数据与主程序在同一压缩包内，解压后直接运行即可看到完整输出，确认无误再替换成自己的台账。
同分类的其它工具
所属分类 半导体工艺参数分析工具包，也可回到 工具资源包下载页 按分类查找。
