半导体CVD工艺：化学气相沉积原理与薄膜质量控制
半导体CVD工艺：化学气相沉积原理与薄膜质量控制 2026-07-30 发布 | 薄膜沉积 CVD化学气相沉积是fab中应用最广泛的薄膜沉积技术。这篇从CVD的反应类型原理讲起，覆盖设备分类PECVD...
SECS-GEM连接失败：设备通信排障四步法
[粉丝专享] SECS-GEM连接失败：设备通信排障四步法 【摘要】本文针对半导体Fab生产中常见的EAP设备对接类问题，从问题背景、原因定位、完整解决步骤到避坑经验，给出可直接落地复用的实战方案。文...
良率与Die尺寸：为什么大芯片天生良率低
良率与Die尺寸：为什么大芯片天生良率低 Murphy晶粒面积效应与Shot Size效应的物理原理及良率工程应对策略 大芯片良率天然低，不是你做错了什么——是统计物理规律在起作用 一、背景故事：同一...
半导体离子注入：精准掺杂工艺原理与实战
半导体离子注入：精准掺杂工艺原理与实战 2026-07-30 发布 | 离子注入 离子注入是精确控制晶体管性能的核心工艺。注入能量、剂量和角度的组合决定了芯片的阈值电压、漏电流和开关速度。这篇文章从离...
设备联网的现实难题：老设备没有SECS口怎么办
设备联网的现实难题：老设备没有SECS口怎么办 Legacy设备SECS/GEM改造方案，含软网关/硬网关/协议转换器选型与避坑指南 20年前的老设备没有网口，更没有SECS——但它产生的数据同样重要...
过程能力 Ppk 和 Cpk 的区别：审核老师最爱问的坑
过程能力 Ppk 和 Cpk 的区别：审核老师最爱问的坑 半导体工艺审核中最常被问到的 Cpk/Ppk 区别详解，附计算示例与判定标准 分类：SPC过程控制 | slot8 · 2026-08-0...
半导体刻蚀工艺：干法刻蚀原理与参数调优实战
半导体刻蚀工艺：干法刻蚀原理与参数调优实战 2026-07-30 发布 | 刻蚀工艺 刻蚀是在光刻之后把图形转移到晶圆上的关键工艺。干法刻蚀用等离子体精确去除材料，湿法刻蚀用化学溶液选择腐蚀。一篇深入...
先进封装测试：从晶圆级到系统级的演进
先进封装测试：从晶圆级到系统级的演进 WLP/CoWoS/InFO/SoIC等先进封装测试技术路线图与测试挑战 分类：前沿趋势 一、封装从"封装"变成了"微型系统&quo...
半导体工程师职称评审避坑：材料别写错
半导体工程师职称评审避坑：材料别写错 FAB工程师职称评审材料准备攻略，含论文/项目/业绩写作要点与常见被拒原因 分类：职场科普 一、材料交上去，被打回来三次——职称评审的材料到底该怎么写 在半导体制...
数据分析Jupyter模板：良率分析的标准流程
数据分析Jupyter模板：良率分析的标准流程 FAB良率工程师的Jupyter Notebook标准化模板，含数据清洗/统计分析/可视化/报告生成 每次做良率分析都要从头写代码——有没有一个模板能直...