刻蚀关键尺寸(CD)控制：线宽偏差的根因
刻蚀关键尺寸(CD)控制：线宽偏差的根因 刻蚀工艺CD漂移的根因分析，含过刻蚀/负载效应/温度/功率影响与先进制程控制策略 【分类】设备工艺 【关键词】刻蚀 CD 控制 · 负载效应 · 过刻蚀...
刻蚀负载效应：腔体补偿让片内均匀性从正负5%到正负2%
[粉丝专享] 刻蚀负载效应：腔体补偿让片内均匀性从正负5%到正负2% 分类：设备工艺 | 发布：2026-08-11 4号槽位 一、痛点：同一片晶圆，中间刻得快、边缘刻得慢 我们有一条氧化物刻蚀线，...
[粉丝专享] Fab工程师的效率工具：让信息主动找你
![[粉丝专享] Fab工程师的效率工具：让信息主动找你](https://www.yezhihui.cn/zb_users/upload/2026/08/20260813003513178655251333580.png)
[粉丝专享] Fab工程师的效率工具：让信息主动找你 分类：MES自动化 | 发布：2026-08-11 3号槽位 一、痛点：工程师的时间浪费在"找东西"上 Fab工程师每天有多...
[粉丝专享] 存算一体芯片：新架构对制造的要求
![[粉丝专享] 存算一体芯片：新架构对制造的要求](https://www.yezhihui.cn/zb_users/upload/2026/08/20260813003514178655251445285.png)
[粉丝专享] 存算一体芯片：新架构对制造的要求 【摘要】存算一体（CIM）把乘加运算搬进存储阵列，能效比可以做到传统架构的十倍以上。但对制造端来说，它意味着一整套新的游戏规则：器件一致性从「够用就行」...
[粉丝专享] FAB新人的第一个月：如何快速上手
![[粉丝专享] FAB新人的第一个月：如何快速上手](https://www.yezhihui.cn/zb_users/upload/2026/08/20260813003515178655251547322.png)
[粉丝专享] FAB新人的第一个月：如何快速上手 【摘要】进Fab第一个月，很多新人是懵的：术语听不懂、系统进不去、跟班站三小时不知道在看什么。本文给出一套经过验证的30天上手路线图，逐周拆解目标、动...
[粉丝专享] FAB数据字典：为什么它是数据治理的地基
![[粉丝专享] FAB数据字典：为什么它是数据治理的地基](https://www.yezhihui.cn/zb_users/upload/2026/08/20260813003519178655251943804.png)
[粉丝专享] FAB数据字典：为什么它是数据治理的地基 【摘要】一场月度良率会上，三个部门报出三个不同的良率数字，差异最大1.8个百分点，会议开成了口径辩论会。这不是取数能力问题，是没有数据字典。本文...
[粉丝专享] 刻蚀负载效应：图形密度对速率的影响
![[粉丝专享] 刻蚀负载效应：图形密度对速率的影响](https://www.yezhihui.cn/zb_users/upload/2026/08/20260813003523178655252320455.png)
[粉丝专享] 刻蚀负载效应：图形密度对速率的影响 【摘要】同一套刻蚀配方，A产品跑出的深度是356nm，B产品却只有312nm，设备日志、气体流量、RF功率全部正常。根因不在设备，而在版图——图形密度...
良率爬坡的统计陷阱：小样本的过度解读
[公开] 良率爬坡的统计陷阱：小样本的过度解读 【摘要】新工艺爬坡期，三片wafer良率九成二，团队庆祝，结果后面二十片掉到八成五——这种"过山车"在Fab里每天都在上演。问题的根...
半导体人才缺口：产业扩张下的用工现实
[公开] 半导体人才缺口：产业扩张下的用工现实 【摘要】新Fab一座接一座投产，工艺工程师、设备工程师的招聘却越来越难。本文用数据和一线观察拆解半导体人才缺口的真实结构：缺口集中在哪些岗位、为什么培养...
半导体专利怎么写：工程师的加分项
[公开] 半导体专利怎么写：工程师的加分项 【摘要】晋升答辩时，别人都有专利你没有，短板立刻显现。但很多工程师觉得专利高不可攀：创新点不够大、不会写交底书、怕泄密、怕被驳回。本文从专利的三性讲起，给出...