光刻曝光参数计算器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题
半导体工艺窗口窄，参数之间互相牵制。这工具把相关参数放在同一套口径下算。
=== 光刻曝光参数计算器 === Version: v1.0 Platform: Windows, Python 3.8+
[Function] Calculate lithography exposure parameters: · Depth of Focus DOF (nm) · Effective k1 · Exposure Latitude EL (%) · Minimum CD (nm) · Best Focus Offset (nm) Draws dose-focus clustering heatmap and DOF window analysis chart.
[Usage] 1. Run: python 光刻曝光参数计算器.py 2. Enter parameters and click "Calculate" 3. Or click "Example Data" for built-in sample
[Sample Data] Lambda: 193 nm (ArF) NA: 0.85 Dose: 25.0 mJ/cm2 Resist thickness: 200 nm k1: 0.35
[Dependencies] Python 3.8+, numpy, matplotlib
可调参数与计算口径
脚本顶部集中了主要阈值与常量：FONT_ENTRY=('SimHei', 10)、FONT_LABEL=('SimHei', 10)、FONT_TITLE=('SimHei', 12, 'bold')。改完直接重跑即可，不必改动计算逻辑。
工具中出现的字段与提示
- 光刻曝光参数计算器
- 曝光波长 Lambda (nm):
- 数值孔径 NA:
- 曝光剂量 Dose (mJ/cm2):
- 光刻胶厚度 (nm):
- 工艺宽容度 k1:
- 焦深 DOF (nm): --
- 等效k1: --
- 曝光宽容度 EL (%): --
- 最小特征尺寸 CD (nm): --
- 最佳焦距补偿 (nm): --
- 焦深 DOF (nm): {dof:.2f}
- 等效k1 (实际): {k1_eff:.4f}
- 曝光宽容度 EL (%): {el:.2f}
- 最小特征尺寸 CD (nm): {cd:.2f}
- 最佳焦距补偿 (nm): {cd*0.1:.2f}
- 焦深 DOF (nm): 93.88
- 等效k1 (实际): 0.3381
其余字段以界面与示例报告为准。
下载与文件清单
压缩包内包含：主程序脚本、示例数据文件、示例输出报告、中文说明文档。解压后按说明运行即可，示例数据可直接试跑。
主程序文件：光刻曝光参数计算器.py。
本站工具免费下载，无需注册。工具为 Python 脚本，Python 3.8 及以上环境可直接运行，核心功能尽量不依赖第三方库。
常见问题
阈值可以改成我们自己的标准吗？
可以，脚本顶部已把主要阈值与常量集中声明，按自己产线的标准修改后重跑即可，不需要改计算逻辑。
示例数据能直接跑吗？
可以。示例数据与主程序在同一压缩包内，解压后直接运行即可看到完整输出，确认无误再替换成自己的台账。
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分类归属：半导体工艺参数分析工具包；完整清单在 工具资源包下载页。
