空间良率分析：晶圆边缘掉良率的常见成因
空间良率分析：晶圆边缘掉良率的常见成因 FAB晶圆边缘效应（Edge-Loss、楔形效应、热梯度）的物理成因与改善策略 分类：良率工程 引子：每片晶圆的Wafer Map上，边缘一圈总是稳定地掉良率，...
AI芯片制造：HBM堆叠的良率与成本
AI芯片制造：HBM堆叠的良率与成本 HBM3/3E存储堆叠的制造挑战、良率损失来源与先进封装成本分析 HBM单价是普通DDR的10倍，但良率只有50%——这些损失从哪里来 当英伟达H100 GPU在...
跳槽到原厂还是FAB：面试10家的5条规律
跳槽到原厂还是FAB：面试10家的5条规律 半导体行业工程师跳槽决策指南，含原厂（ASML/LAM/AMAT/KLA）与FAB的工作体验对比 FAB干了三年，原厂给了offer，薪资翻倍——但听说原厂...
半导体国产化的机会：工程师该押注哪个方向
半导体国产化的机会：工程师该押注哪个方向 2026年国产半导体产业链深度盘点，工程师职业发展路径指南 一、背景故事：一个FAB工程师的选择困境 2024年的一个深秋夜晚，在中芯国际上海工厂工作了七年的...
刻蚀关键尺寸(CD)控制：线宽偏差的根因
刻蚀关键尺寸(CD)控制：线宽偏差的根因 刻蚀工艺CD漂移的根因分析，含过刻蚀/负载效应/温度/功率影响与先进制程控制策略 【分类】设备工艺 【关键词】刻蚀 CD 控制 · 负载效应 · 过刻蚀...
良率数据异常波动：先用SPC还是先查设备
[公开] 良率数据异常波动：先用SPC还是先查设备 【摘要】本文针对半导体Fab生产中常见的SPC质量治理类问题，从问题背景、原因定位、完整解决步骤到避坑经验，给出可直接落地复用的实战方案。文章适合F...
半导体工艺窗口优化：DOE方法与良率提升实战
半导体工艺窗口优化：DOE方法与良率提升实战 2026-07-30 发布 | 工艺整合 工艺窗口是fab的核心竞争力决定良率和成本。工艺窗口宽意味着参数波动容忍度大良率高成本低。工艺窗口窄意味着参数稍...
半导体薄膜沉积：PVD与CVD选择及均匀性优化
半导体薄膜沉积：PVD与CVD选择及均匀性优化 2026-07-30 发布 | 薄膜工程 薄膜沉积是fab中使用频率最高的工艺之一。PVD还是CVD？介质薄膜还是导电薄膜？怎么选择最优技术路线？怎么做...
设备数据采集断点：SECS消息丢失的四种根因
[公开] 设备数据采集断点：SECS消息丢失的四种根因 【摘要】本文针对半导体Fab生产中常见的EAP设备对接类问题，从问题背景、原因定位、完整解决步骤到避坑经验，给出可直接落地复用的实战方案。文章适...
半导体封装测试：封装类型与良率管理实战
半导体封装测试：封装类型与良率管理实战 2026-07-30 发布 | 封装测试 封装测试是芯片走向应用的最后一站。从传统DIP到3D封装再到芯片异构集成，封装技术在半导体产业链中的重要性持续提升。这...