光刻焦深DOF与曝光宽容度计算器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 先确认数据可用，再套模型。这工具在输出里会提示数据是否够用。 用 Rayleigh 判据算解析度 R = k1·λ/NA 与焦深 DOF = k2·λ/NA²， 由 CD-剂...
蒙特卡洛容差仿真器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 参数漂移早期很难察觉，靠人盯不现实。这工具把趋势判定做成可重跑的检查。 装配尺寸链的三种口径并排比：**极值法（最坏情况）／统计法（±3σ, RSS）／ 蒙特卡洛（50000...
刻蚀选择比与过刻蚀容忍计算器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 把工艺窗口的边界算清楚，比算出一个漂亮的最优值更有用。 刻蚀要「把膜刻干净」又不「吃掉掩膜与停止层」。本工具按膜层/掩膜/停止层 刻蚀速率算两类选择比、主刻蚀与过刻蚀时间、掩...
台阶覆盖率与深宽比计算器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 这类分析宁可保守也不要假精度：数据不足时明确不外推。 沟槽/接触孔填充的成败，由深宽比（AR）与台阶覆盖率（侧壁/底部膜厚比）决定。 本工具逐特征算 AR、覆盖率、保形性，给...
四探针方块电阻计算器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 这类分析宁可保守也不要假精度：数据不足时明确不外推。 四探针法测方块电阻是离子注入/外延/薄膜工序最常用的电性监控。本工具把 Rs = (π/ln2)·(V/I) 换算、温度...
CD关键尺寸均匀性分析器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 这类分析宁可保守也不要假精度：数据不足时明确不外推。 光刻/量测站点 CD（Critical Dimension）数据的均匀性分解工具： 晶圆内径向分层（中心/中环/边缘）、...
WAT电性参数允收与批异常筛查器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 工艺改善的靶点通常藏在参数相关性里，单看一个指标看不出来。 WAT（Wafer Acceptance Test，也叫 PCM/电性测试）是每批晶圆出货前的最后一道电性关卡。...
热氧化层厚度Deal-Grove计算器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 这工具面向的是「想让参数分析往前走一步，但不想从头搭环境」的场景。 氧化炉调工艺时最常被问的两句话：「这个温度时间能长出多少厚的氧化层？」 「想长到目标厚度需要多久？」——靠...
热预算累积计算器｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 先确认数据可用，再套模型。这工具在输出里会提示数据是否够用。 热预算是工艺整合的硬约束：前面吃过多少热，后面能吃的热就少多少，超了结深就控制不住。 但「300 分钟 900°...
配方版本管理工具｜工艺参数分析工具
这个工具解决什么问题 参数漂移早期很难察觉，靠人盯不现实。这工具把趋势判定做成可重跑的检查。 本工具是专为半导体晶圆厂（FAB）设计的配方（Recipe）全生命周期管理系 统，涵盖配方主数据管理、...